انسداد میدان الکتریکی جانبی از نواحی درین و سورس جهت بهبود اثرات کانال کوتاه در افزاره Nano-SOI

نویسنده

چکیده مقاله:

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید و رسیدن به ناحیه کانال را پیدا می‌کنند. افزایش رسانش مؤثر حرارتی ساختار پیشنهادی توانایی مضاعفی به ساختار جدید جهت کار در دماهای بالاتر می‌دهد. مقایسه ساختار ارائه شده با افزاره مرسوم نشان می‌دهد که پارامترهای مهمی همچون اثرات کانال کوتاه، دمای شبکه، میدان الکتریکی، تحرک پذیری الکترون، کندوکتانس درین و جریان نشتی به‌طور موثری بهبود یافته است که نمایانگر برتری ساختار پیشنهادی است. ساختارهای تحت مطالعه در این مقاله با استفاده از نرم‌افزار ATLAS که خود یکی از محصولات تجاری SILVACO است شبیه‌سازی شده است.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان گرافنی با نواحی سورس و درین مهندسی شده

جریان خاموشی بالا و کم بودن نسبت جریان روشن به خاموش در ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن، یکی از معایب و مشکلات مجتمع سازی این نوع افزاره ها است. در نتیجه بر آن شدیم تا ساختار هایی را معرفی کنیم که این مشکلات را به حداقل برسانیم. در این پایان نامه عملکرد ترانزیستور های اثر میدان مبتنی بر نانونوار گرافن و همچنین مهندسی اتصالات سورس و درین در این ترانزیستورها به منظور کاهش جریان ...

15 صفحه اول

بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی در حضور ناهمپوشانی

یکی از موارد مهم در فرآیند ساخت افزاره‌ها در مقیاس نانومتر، آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین– سورس است. در این مقاله برای اولین بار اثر آندرلپ بین ناحیه گیت و نواحی درین- سورس برای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل‌زنی بررسی شده است. برای مطالعه و شبیه‌سازی مشخصات الکتریکی افزاره از حل خودسازگار معادله‌های پواسون- شرودینگر و روش تابع گرین غیرتعادلی استفاده شده است. عملکرد افزاره برحسب ...

متن کامل

کاهش اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور های soi-mosfet دو گیتی با ولتاژ گیت وابسته به درین

در این رساله یک ماسفت سیلیکون برعایق جدید به منظور کاهش اثرات کانال کوتاه ارائه شده است. ترانزیستور استفاده شده دارای دو گیت مجزا دارای طول های متفاوت می باشد. در این ساختار پیشنهادی بایاس گیت دوم که نزدیک درین قرار دارد به ولتاژ درین وابسته می باشد؛ به عبارتی به وسیله ولتاژ درین کنترل می شود. هدف این است که با انتخاب ولتاژ مناسب برای گیت دوم، از تاثیر ولتاژ درین بر پتانسیل کانال جلوگیری شود. د...

15 صفحه اول

طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت دوگیتی با به‌کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO2) و سیلیسیم-ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG)

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

متن کامل

بهبود آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانو soi mosfet

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

تحلیل و شبیه سازی ترانزیستور soi-mosfet برای بهبود اثرات کانال کوتاه

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

15 صفحه اول

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


عنوان ژورنال

دوره 48  شماره 3

صفحات  991- 998

تاریخ انتشار 2018-11-22

با دنبال کردن یک ژورنال هنگامی که شماره جدید این ژورنال منتشر می شود به شما از طریق ایمیل اطلاع داده می شود.

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023